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IXFK170N10
IXFN170N10
12
Figure 7. Gate Charge
18000
Figure 8. Capacitance Curves
10
8
6
4
2
Vds= 50V
I D = 85A
I G =10mA
15000
12000
9000
6000
3000
Ciss
Coss
f = 1MHz
Crss
0
0
100
200
300
400
500
600
0
0
10
20
30
40
300
250
Gate Charge - nC
Figure 9. Forward Voltage Drop of the Intrinsic Diode
170
1 00
V DS - Volts
Figure10. Forward Bias Safe Operating Area
1 ms
200
150
T J = 125 O C
10
ms
100
50
T J = 25 O C
10
T C = 25 O C
100
ms
DC
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1
1
10
1 00
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
V SD - Volts
Figure 11. Transient Thermal Resistance
V DS - Volts
0.00
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
Pulse Width - Seconds
? 2000 IXYS All rights reserved
4-4
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